东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
(资料图)
类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏极-源极导通电压(传感器)[2]。此外,它还具有较低的开通和关断损耗,分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗,用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路,有助于设备的小型化。
东芝将不断创新,持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。
应用:
工业设备
- 可再生能源发电系统(光伏发电系统等)
- 储能系统
- 工业设备用电机控制设备
- 高频DC-DC转换器等设备
特性:
- 低漏极-源极导通电压(传感器):
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
- 低开通损耗:
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低关断损耗:
Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低寄生电感:
LsPN=12nH(典型值)
主要规格:
(除非另有说明,Ta=25℃)
器件型号 | MG250YD2YMS3 | |||
东芝封装名称 | 2-153A1A | |||
绝对 最大 额定值 | 漏源电压VDSS(V) | 2200 | ||
栅源电压VGSS(V) | +25/-10 | |||
漏极电流(DC)ID(A) | 250 | |||
漏极电流(脉冲)IDP(A) | 500 | |||
结温Tch(℃) | 150 | |||
绝缘电压Visol(Vrms) | 4000 | |||
电气 特性 | 漏极-源极导通电压(传感器): VDS(on)sense(V) | ID=250A、VGS=+20V、 Tch=25℃ | 典型值 | 0.7 |
源极-漏极导通电压(传感器): VSD(on)sense(V) | IS=250A、VGS=+20V、 Tch=25℃ | 典型值 | 0.7 | |
源极-漏极关断电压(传感器): VSD(off)sense(V) | IS=250A、VGS=-6V、 Tch=25℃ | 典型值 | 1.6 | |
开通损耗 Eon(mJ) | VDD=1100V、 ID=250A、Tch=150℃ | 典型值 | 14 | |
关断损耗 Eoff(mJ) | 典型值 | 11 | ||
寄生电感LsPN(nH) | 典型值 | 12 |
注:
[1] 采样范围仅限于双SiC MOSFET模块。数据基于东芝截至2023年8月的调研。
[2] 测量条件:ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃
[3] 测量条件:VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃
[4] 截至2023年8月,东芝对2300V Si模块和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3开关损耗进行比较(2300V Si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估)。
相关文章 深度分析:工业机器人国产化率提升 企业如何突破发展瓶颈?(图)05-062022年中国通信行业经济运行月度报告(附全文)03-13关键词: